2. Разрежьте фигуру, изображенную на рисунке, на три равные части. Части считаются равными, если их можно наложить одну на другую так, чтобы они полностью совместились. Резать можно как угодно, не обязательно по клеткам.
The junction field-effect transistor action. It was previously emphasized that one of the main properties of the bipolar transistor is that it is a current-controlled amplifying device; the output current is controlled by a small input current. In the case of the field-effect transistor (FET) it is the input voltage which controls the output current. The current drawn by the input is usually negligible. This is a great advantage where the signal comes from a device such as capacitor microphone or piezoelectric transducer, which is unable to supply a significant current. FET’s are basically of two types: the junction field-effect transistor (JFET) and the insulated gate field-effect transistor (IGFET). The latter is more commonly known by a name metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
At a point along the bar a region of p-type silicon forms a p-n junction. In normal operation, the junction is reverse-biased. The lower contact on the bar is called the source and the upper contact the drain. The electron current flows from source to drain and is controlled by the voltage applied to the p-region called the gate.
An alternative type of construction is the p-channel device where the gate is made of n-type material.
The operation of the JFET depends upon variations in the size of the depletion layer at the reverse-biased gate junction. The p-type gate is much more heavily doped than the n-type bar, so that the depletion region exists almost entirely in the bar. The gate carries a negative bias voltage relative to the source which give rise to the particular shape of the depletion region: this is wider at the top than the bottom. The wider the depletion layer, the narrower the channel there is available for the flow of electrons from source to drain, since the depletion region itself being devoid of current carries, behaves like an insulator.
Unlike the bipolar transistor, the FET employs only majority carriers for its operation. It is therefore sometimes called the unipolar transistor and is less susceptible than the bipolar type to temperature changes and nuclear radiation.
О том, что пыль вредна для здоровья, мы знаем с детства. А почему, вряд ли задумывались. Находясь во взвешенном состоянии, пыль имеет свойство проникать в дыхательные пути человека, оседать там и вызывать аллергическую реакцию. Домашняя пыль имеет 4 источника происхождения (откуда берется пыль) : она является собственно продуктом распада самого человеческого организма, она попадает в дом с улицы, ее создают домашние животные и, конечно же, износ мебели и ее старение.
И все - таки, зачем человечество постоянно думает об улучшении качественных характеристик пылесоса и насколько велика его роль в современной жизни? А нужно это для более эффективной борьбы с пылью и клещами, которые живут в местах скопления пыли.
В нашей постели живут до 2-х миллионов пылевых клещей (сапрофитов) , это оптимальная среда для их обитания и размножения. Подсчитано, что в двуспальной кровати их порядка двух миллионов. Основным питанием для клеща являются омертвевшие клетки кожи. За один год человек утрачивает до двух килограмм кожи, основная масса которой остается на постельном белье и обосновывается в матраце и подушках.
откуда в воздухе берется пыльКак видим, основным местом обитания и размножения клещей является постель, ковры с натуральным ворсом, места скопления пыли и т. д. Клещи домашней пыли вооруженным глазом не видны: они очень мелкие - от 0.1 до 0.5 мм, живут они обычно не больше четырех месяцев. Мелкие фрагменты клещей (от 10 до 40 микрон) и продукты их жизнедеятельности особенно, их фекальные частицы (клещи производить в 200 раз больше собственного веса вызывать аллергию.
В 1 грамме пыли может содержаться от сотни до нескольких тысяч клещей. Клещ особенно любит ковролин, ковры, мягкие игрушки, газеты, старые книги, тяжелые шторы. Если не поддерживать постоянный уход за такими вещами, то содержание частиц в воздухе будет увеличиваться, а значит возрастет вероятность "подхватить" аллергенные частицы, которые могут привести к всевозможным серьезным заболеваниям (бронхит, хронические заболевания полости носа, глотки, различные аллергии и т. д.) .
Надеемся, прочитав такую информаци, вам сразу захочется выбрать пылесос защитить от пыли и клещей ваше окружение.
The junction field-effect transistor action. It was previously emphasized that one of the main properties of the bipolar transistor is that it is a current-controlled amplifying device; the output current is controlled by a small input current. In the case of the field-effect transistor (FET) it is the input voltage which controls the output current. The current drawn by the input is usually negligible. This is a great advantage where the signal comes from a device such as capacitor microphone or piezoelectric transducer, which is unable to supply a significant current. FET’s are basically of two types: the junction field-effect transistor (JFET) and the insulated gate field-effect transistor (IGFET). The latter is more commonly known by a name metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
At a point along the bar a region of p-type silicon forms a p-n junction. In normal operation, the junction is reverse-biased. The lower contact on the bar is called the source and the upper contact the drain. The electron current flows from source to drain and is controlled by the voltage applied to the p-region called the gate.
An alternative type of construction is the p-channel device where the gate is made of n-type material.
The operation of the JFET depends upon variations in the size of the depletion layer at the reverse-biased gate junction. The p-type gate is much more heavily doped than the n-type bar, so that the depletion region exists almost entirely in the bar. The gate carries a negative bias voltage relative to the source which give rise to the particular shape of the depletion region: this is wider at the top than the bottom. The wider the depletion layer, the narrower the channel there is available for the flow of electrons from source to drain, since the depletion region itself being devoid of current carries, behaves like an insulator.
Unlike the bipolar transistor, the FET employs only majority carriers for its operation. It is therefore sometimes called the unipolar transistor and is less susceptible than the bipolar type to temperature changes and nuclear radiation.
Пошаговое объяснение: