1 т=10 ц ⇒ 450 т=4 500 ц
1) 4 500:15=300 (ц) или 30 (т) - огурцов собрали с одной (каждой) теплицы в году.
2) 300+5=305 (ц) или 30т 5ц - огурцов собрали с одной (каждой) теплицы в этом году.
3) 305·15=4 575 (ц) или 457т 5ц - огурцов собрали с 15 теплиц в этом году.
ответ: 457т 5ц огурцов собрали с 15 теплиц за этот год.
1) 450:15=30 (т) - огурцов собрали с одной (каждой) теплицы за год.
1 т=10 ц ⇒ 30 т=300 ц
2) 300+5=305 (ц) или 30т 5ц - огурцов собрали с одной (каждой) теплицы за этот год.
3) 305·15=4 575 (ц) или 457т 5ц - огурцов собрали с 15 теплиц в этом году.
ответ: 457т 5ц огурцов собрали с 15 теплиц за этот год.
Наибольшее практическое применение находят неорганические кристаллические полупроводниковые материалы, которые по химическому составу разделяются на следующие основные группы.
Элементарные полупроводники: Ge, Si, углерод (алмаз и графит), В, α-Sn (серое олово), Те, Se. Важнейшие представители этой группы — Ge и Si имеют кристаллическую решётку типа алмаза (алмазоподобны). Являются непрямозонными полупроводниками; образуют между собой непрерывный ряд твёрдых расплавов, также обладающих полупроводниковыми свойствами.
Соединения типа AIIIBV элементов III и V группы периодической системы имеют в основном кристаллическую структуру типа сфалерита. Связь атомов в кристаллической решётке носит преимущественно ковалентный характер с некоторой долей (до 15 %) ионной составляющей. Плавятся конгруэнтно (без изменения состава). Обладают достаточно узкой областью гомогенности, то есть интервалом составов, в котором в зависимости от параметров состояния (температуры, давления и др.) преимуществ. тип дефектов может меняться, а это приводит к изменению типа проводимости (n, р) и зависимости удельной электрической проводимости от состава. Важнейшие представители этой группы: GaAs, InP, InAs, InSb, GaN, являющиеся прямозонными полупроводниками, и GaP, AlAs — непрямозонные полупроводники. Многие полупроводниковые материалы типа АIIIВV образуют между собой непрерывный ряд твёрдых расплавов — тройных и более сложных (GaxAl1-xAs, GaAsxP1-x, GaxIn1-xP, GaxIn1-xAsyP1-y и т. п.), также являющихся важными.