Пошаговое объяснение:
НОД (54; 72) = 18.
Разложим на простые множители 54
54 = 2 • 3 • 3 • 3
Разложим на простые множители 72
72 = 2 • 2 • 2 • 3 • 3
Выберем одинаковые простые множители в обоих числах.
2 , 3 , 3
Находим произведение одинаковых простых множителей и записываем ответ НОД (54; 72) = 2 • 3 • 3 = 18
***
НОК (54, 72) = 216
Разложим на простые множители 54
54 = 2 • 3 • 3 • 3
Разложим на простые множители 72
72 = 2 • 2 • 2 • 3 • 3
Выберем в разложении меньшего числа (54) множители, которые не вошли в разложение. Добавим эти множители в разложение бóльшего числа
2 , 2 , 2 , 3 , 3 , 3
Полученное произведение запишем в ответ.
НОК (54, 72) = 2 • 2 • 2 • 3 • 3 • 3 = 216
Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.
Подложка в фотоматериалах и киноматериалах — основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв.
Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоев с процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д.
При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.