Дано:
V1 = 2 кубических метра - начальный объем газа;
T1 = 273 градуса по Цельсию = 546 градусов по шкале Кельвина - начальная температура газа;
T2 = 546 градусов по Цельсию = 819 градусов по шкале Кельвина.
Требуется определить V2 (кубический метр) - объем газа при температуре T2.
Так как по условию задачи процесс происходит при одном и том же давлении (P = const), то:
V1 / T1 = V2 / T2;
V2 = V1 * T2 / T1 = 2 * 819 / 546 = 1638 / 546 = 3 кубических метра.
ответ: при температуре 546 градусов по Цельсию объем газа будет равен 3 кубических метра
Рв = 30 Н.
ρк = 2500 кг/м3.
ρв = 1000 кг/м3.
Объяснение:
Задать вопрос
Войти
АнонимФизика11 января 19:02
Если камень можно держать в воде,затрачивая силу 30Н,какова его масса в воздухе?Плотность камня 2500кг\м3
ответ или решение1
Горшков Владислав
Рв = 30 Н.
ρк = 2500 кг/м3.
ρв = 1000 кг/м3.
g = 10 м/с2.
m - ?
На тело , которое погружено в жидкость или газ, действует выталкивающая сила Fарх, которая направленная вертикально вверх и определяется формулой: Fарх = ρв * g * V. Где ρв - плотность жидкости, в которое погружено тело, g - ускорение свободного падения, V - объем погруженной части тела в жидкость.
Вес камня в воде Рв выразим формулой: Рв = m * g - Fарх = m * g - ρв * g * V.
Массу камня m выразим формулой: m = ρк * V, где V - объем камня, ρк - плотность камня.
Рв = ρк * V * g - ρв * g * V = g * V *(ρк - ρв).
V = Рв / g * (ρк - ρв).
Массу камня m выразим формулой: m = Рв * ρк / g * (ρк - ρв).
m = 30 Н * 2500 кг/м3 / 10 м/с2 * (2500 кг/м3 - 1000 кг/м3) = 5 кг.
ответ: камень имеет массу m = 5 кг.
Объяснение:
При обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. Направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. Поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается. Диффузионный ток уменьшается и увеличивается дрейфовый ток. Полный ток p-n–перехода определяется только дрейфовым током, т.е. током неосновных носителей заряда. Этот ток называется обратным. Т.о. p-n–переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает. P-N-переход при обратном напряжении Uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. Запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда +Qобр и –Qобр., созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. Поэтому р-n-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. Эту емкость называют барьерной емкостью. Барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади р-n–перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и уменьшении толщины запирающего слоя. Особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. Если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость Сб, уменьшается. Характер этой зависимости показывает график на рисунке. Как видно, под влиянием напряжения Uобр емкость Сб изменяется в несколько раз. Зависимость полного тока p-n–перехода от приложенного внешнего напряжения называется статической вольт – амперной характеристикой перехода. При достижении обратным напряжением критического значения Uпр обратный ток резко возрастает. Этот режим называется пробоем p-n–перехода. С практической точки зрения можно выделить два вида пробоя: 1)электрический пробой – он не опасен для p-n–перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства перехода полностью восстанавливаются; 2)тепловой пробой – он может привести к разрушению кристалла и является аварийным режимом. Электрический пробой вызван чрезмерным вырастанием напряженности электрического поля в переходе. Обратный ток вырастает, т.к. электрическое поле большой напряженности вырывает ее из ковалентных связей, и это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. Тепловой пробой вызван нагревом перехода и сопровождается резким увеличением термогенерации носителей заряда в области перехода. Одним из важных параметров полупроводниковых приборов с электронно-дырочными переходами является допустимое обратное напряжение Uобр.max, при котором сохраняется свойство односторонней электропроводности.