1. Как меняется электрическое сопротивление полупроводников при изменении температуры? Или
наблюдается в них явление сверхпроводимости?
2. Какой принцип действия терморезистора?
3. На участке круга последовательно соединены металлический и полупроводниковый резисторы.
Считая напряжение на участке постоянной, определить, как изменится сила тока при нагреве
резистора металлического; полупроводникового?
4. Какие подвижные носители электрических зарядов содержатся в чистом полупроводнике и в котором
соотношении?
5. Что необходимо для образования пары электрон-дырка? Какие причины приводят к образованию
этих пар?
6. Почему при неизменных внешних условиях количество свободных электрических зарядов в
полупроводниках остается неизменной, хотя образования пары электрон-дырка
происходит постоянно?
до взрыва был только "горизонтальный" импульс p1=(m1+m2)v;
после взрыва весь "горизонтальный" импульс перешёл к малому осколку: m2v21=p1; (v21 - горизонтальная часть скорости малого осколка).
v21=(m1+m2)v/m2
"Вертикальный" импульс был равен нулю до взрыва, значит и после взрыва должен остаться нулевым. m1v1+m2v22=0; (v1 - вертикальная скорость большого осколка; v22- вертикальная скорость малого осколка).
m1v1=m2v22;
v22=m1v1/m2;
v21=(10*600)/4=1500 м/с
v22=(6*500)/4=750 м/с
полную скорость малого осколка найдём по теореме Пифагора.
v2=SQRT(v21^2+v22^2);
v2=SQRT(1500^2+750^2);
v2=1677 м/с (округлённо);
Направление полёта осколка найдём из соотношения скоростей:
tan(a)=v22/v21;
tan(a)=0.5;
a=26.56 градусов вверх от горизотнали.