Тертя шкідливе, бо внаслідок нагрівання зношуються механізми і машини, стираються підошви взуття і шипи автомобілів, ускладнюється пересування різних вантажів, але воно корисне для безпечного руху транспорту. Коли тертя корисне, його намагаються збільшити: на автомобільних шинах є рельєфні малюнки – протектори – смуги вздовж і впоперек шини, поперечні смуги збільшують тертя (силу зчеплення коліс з полотном дороги), поздовжні смути, а також виступи, розташовані під кутом, перешкоджають зміщенню автомобіля вбік.
находим напряжение на первом проводнике U=I*R=5*8=40В
параллельное соединение, значит такое же напряжение на всех проводниках.
находим ток на третьем проводнике. сумма токов на трех проводниках равно току на всем участке.
49-8-5=36 А.
сопротивление на втором проводнике 40/8=5 Ом,
на третьем проводнике 40:36=1,1 Ом.
на всем участке 40:49=0,8 Ом.
проверка.
1/R1+1/R2+1/R3=1/R
1/8+1/5+10/11=(55+88+400)/440=543/440
R=440/543=0,8 Ом.
1 про- 2 про- 3 про- весь
водник водник водник участок
I, A 5 8 36 49
U,В 40 40 40 40
R,Ом 8 5 1,1 0,8
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.