М
Молодежь
К
Компьютеры-и-электроника
Д
Дом-и-сад
С
Стиль-и-уход-за-собой
П
Праздники-и-традиции
Т
Транспорт
П
Путешествия
С
Семейная-жизнь
Ф
Философия-и-религия
Б
Без категории
М
Мир-работы
Х
Хобби-и-рукоделие
И
Искусство-и-развлечения
В
Взаимоотношения
З
Здоровье
К
Кулинария-и-гостеприимство
Ф
Финансы-и-бизнес
П
Питомцы-и-животные
О
Образование
О
Образование-и-коммуникации
Soto350
Soto350
11.05.2022 00:09 •  Физика

Секундомер 2. Өз сызғыштарыңның бөлік құнын анықтаңдар. Оны пайда-
ланып дәптердің ұзындығын және енін өлшеңдер.
3. Үйде жататын бөлмеңнің ұзындығы мен енін өлшеуіш тас-
памен өлшеп, ауданын табыңдар.
4. Цилиндрлік мензуркадағы (сурет 1.20) сұйықтың көлемін
миллилитр және литр бойынша анықтаңдар.
5. Цилиндрлік мензурканы пайдаланып, үйдегі немесе
зертханадағы қабырғасы мөлдір ыдысты градуирлеңдер. Ол
үшін миллиметрлік қағазды ыдыс қабырғасына жапсырып,
әр бөлікке сәйкес келетін көлемдерді цифрлармен көрсетіп
жазыңдар.
24​

👇
Открыть все ответы
Ответ:
l0958626315
l0958626315
11.05.2022
1) Скалярная величина, численно равная отношению работы сторонних сил по переносу заряда в электрической цепи к величине этого заряда
2) Это величина сопротивления, которая имеется у неидеального источника тока.
3) Это закон Ома для полной цепи: сила тока в цепи прямо пропорциональна ЭДС, действующей в цепи, и обратно пропорциональна сумме внутреннего и внешнего сопротивлений цепи.
4) При условии идеальности источника и высокого сопротивления вольтметра. Чем выше отношение сопротивлений вольтметра и источника, тем выше точность измерения.
5)U=r*E/(R+r) (r- внешнее сопротивление, R - внутреннее сопротивление.
4,6(32 оценок)
Ответ:
Ani32536
Ani32536
11.05.2022
Дырочные полу­провод­ни­ки. Полупроводник, леги­ро­ван­ный ак­­цепторной при­месью, на­зы­вают полу­про­во­д­­ником дырочно­го ти­­па (р-типа) проводимости или дырочным полу­провод­ником.Дырочная проводимость создается в результате легирования по­­­­лупроводника элементами, име­ющими меньшую валентность, чем валентность атомов, из кото­рых состоит полу­про­вод­ни­к.  На­­при­­­мер, для Si и Ge, являющимися эле­мен­тами четвертой груп­пы таб­ли­­­цы Мен­де­­­леева, в качестве акцепторных примесей при­ме­ня­ют эле­­ме­н­­­ты третьей группы, как правило это 5B, 13Al, 31Ga, 49In.Замещая узлы кристаллической решетки полупроводника, ато­­мы акцепторной примеси захватывают валентный эле­к­т­ро­н от со­­се­д­­не­го атома кремния для создания ковалентных связей с ато­ма­ми ос­­­новного ве­ще­ст­ва, превращаясь при этом в отрицательно за­­ря­­жен­­ные ионы, и уча­ст­вуют в создании дополнительных энер­ге­­ти­че­с­ких уров­ней в за­прещенной зоне полупроводника, как по­ка­­зано на рис. 1.26.Механизм появления дырочной проводимости иллюстрируется на рис. 1.26, а. При образовании химической ковалентной связи с ато­­­­­ма­­­ми Si или Ge все три валентных электрона атома акце­п­то­р­ной при­­меси уча­­ст­ву­ют в образовании ковалентных связей. Для со­з­­­да­ния че­твертой (не­за­­вер­шен­ной)  химической связи может быть захвачен электрон из ко­ва­ле­нтных свя­­зей одного из бли­жай­­ших со­седних атомов кре­м­ния. У это­го атома, в свою оче­редь, по­я­в­ля­ет­ся незавершенная связь с со­сед­ним атомом кре­м­ния, ко­торая на­зы­ва­­ется дыркой.У дырки су­ще­­ству­ет сла­бая эле­­к­­­­т­ро­ста­ти­чес­кая связь с атомом кремния. Эне­р­гия этой куло­но­в­с­кой свя­з­и DWa, как и в случае электронных по­лу­­про­­во­д­ни­ков, не­­велика и со­­став­ля­­­ет всего 0,01...0,07 эВ. По­э­тому  для зах­ва­та дыр­­кой элек­трона из ко­валентной связи соседнего атома  до­­­ста­то­ч­но неболь­шой эне­р­­гии, ко­торую эле­к­трон мо­жет по­лу­чить за счет тепловых ко­ле­ба­ний кри­­с­тал­­­ли­че­с­­кой ре­ше­тки. В ре­зу­льтате об­­мена электронами между со­седними атомами  дырка мо­­жет пе­ре­­мещаться по кристаллу по­лу­­про­вод­ника, осу­ществляя при при­ло­­жении внешнего эле­к­т­ри­че­с­кого по­ля ды­ро­ч­ную про­во­ди­мость.
4,4(62 оценок)
Новые ответы от MOGZ: Физика
logo
Вход Регистрация
Что ты хочешь узнать?
Спроси Mozg
Открыть лучший ответ