Вариант 1. 1) Q=q*N=1,6*10^-19*8,0*10^10=12,8*10^-9Кл 2) Во вложении 4) Сначала заряд на обкладках конденсатора будет равен q=C*U.Емкость конденсатора после внесения диэлектрика с диэлектрической проницаемостью е увеличится в e раз и станет равной e*C, при этом заряд увеличится и станет равен q2=e*C*U, а значит через источник тока пройдет заряд равный q2-q=C*U(e-1) Вариант 2. 1) 6кН 2) F=k*Q1*Q2/e*R^2 Q2=e*F*R^2/k*Q1=56*120*10^-6*4*10^-4/9*10^9*10*10^-9=29,8нКл 4) C=Q/U следовательно U=Q/C. Если конденсатор отключен, то Q не изменяется С=E*Eo*S/d При увеличении d в k раз С уменьшится в k раз. Поэтому U те дельта фи . Увеличится в k раз те U=k*Uo
Если материал тонкой линзы преломляет сильнее, чемокружающая среда (например, стеклянная линза в воздухе), то собирательными будут линзы двояковыпуклые, плоско-выпуклые и вогнуто-выпуклые (положительный мениск), т. е. линзы, утолщающиеся к середине (рис. 12.17, а) к рассеивающим линзам принадлежат двояковогнутые, плоско-вогнутые и выпукло-вогнутые (отрицательный мениск), т. е. линзы, утончающиеся к середине (см. рис. 12.17, б). Если материал тонкой линзы преломляет меньше, чем окружающая среда(например, воздушная полость в воде), то линзы вида рис. 12.17, а будут рассеивающими, а вида рис. 12.17, б — собирательными. [c.291]
шкалу ( 100%)