Возможно решение в общем виде, но так, по-моему, нагляднее..))
Пусть напряжение в сети U = 220B
1) 2 спирали одинаковой мощности (и одинакового же сопротивления, допустим, по 100 Ом): а. Режим половинной мощности (включена в сеть одна спираль): I₁ = U/R₁ = 220:100 = 2,2A P₁ = I²R₁ = 2,2²*100 = 484 (Вт) б. При последовательном соединении двух одинаковых спиралей: I = U/R = U/(R₁+R₁) = 0,5*U/R₁ = 0,5*220:100 = 1,1 (A) Мощность, выделяемая при этом: P = I²R = 1,1²*200 = 242 (Вт) в. При параллельном соединении двух одинаковых спиралей получаем режим полной мощности: R = R₁²/2R₁ = 0,5R₁ = 0,5*100 = 50 (Ом) I = U/R = 220:50 = 4,4 (A) Мощность, выделяемая при этом: P = I²R = 4,4²*50 = 968 (Вт) Или так: Мощность двух спиралей, соединенных параллельно, равна сумме мощностей каждой спирали: P = P₁+P₁ = 2P₁ = 2*484 = 968 (Вт) Всего, при различном подключении двух одинаковых спиралей с сопротивлениями по 100 Ом, можно получить 3 разных режима нагревания с мощностями: 484 Вт; 242 Вт; 968 Вт
2) Две спирали разной мощности (и разного сопротивления, допустим, R₁=100 Ом, R₂=200 Ом) а) Одинарное подключение каждой спирали: I₁ = U/R₁ = 220:100 = 2,2 (A) P = I²R = 2,2²*100 = 484 (Вт) I₂ = U/R₂ = 220:200 = 1,1 (A) P = I²R = 1,1²*200 = 242 (Вт) б) При последовательном подключении разных спиралей: R = R₁+R₂ = 100+200 = 300 (Ом) I = U/R = 220:300 = 0,733 (А) P = I²R = 0,733²*300 = 161,3 (Вт) в) При параллельном подключении разных спиралей: P = P₁+P₂ = 484+242 = 726 (Вт)
Всего, при различном подключении двух разных спиралей с сопротивлениями 100 и 200 Ом, можно получить 4 разных режима нагревания с мощностями: 484 Вт; 242 Вт; 161,3 Вт; 726 Вт
Полупроводниковые приборы – различные по конструкции, технологии изготовления и функциональному назначению электронные приборы, основанные на использовании свойств полупроводников. К полупроводниковым приборам относят также полупроводниковые микросхемы, которые представляют собой монолитные законченные функциональные узлы (усилитель, триггер, набор элементов), все компоненты которых изготавливаются в едином технологическом процессе. Полупроводники – вещества, электронная проводимость которых имеет промежуточное значение между проводимостью проводников и диэлектриков. К полупроводникам относится обширная группа естественных и синтетических веществ различной химической природы, твердых и жидких, с разными механизмами проводимости. Наиболее перспективными полупроводниками в современной технике являются так называемые электронные полупроводники, проводимость которых обусловлена движением электронов. Однако в отличие от металлических проводников концентрация свободных электронов в полупроводниках очень мала и возрастает с повышением температуры, чем объясняется их пониженная проводимость и специфическая зависимость от удельного сопротивления и температуры: если у металлических проводников при нагревании электрическое сопротивление повышается, то у полупроводников оно понижается. Увеличение концентрации свободных электронов с повышением температуры объясняется тем, что с увеличением интенсивности тепловых колебаний атомов полупроводников все большее количество электронов срывается с внешних оболочек этих атомов и получает возможность перемещаться по объему полупроводника. В переносе электричества через полупроводники, помимо свободных электронов могут принимать участие места, освободившиеся от перешедших в свободное состояние электронов – так называемые дырки. Поэтому и свободные электроны и дырки называют носителями электрического заряда, причём дырке приписывают положительный заряд, равный заряду электрона. В идеальном полупроводнике образование свободных электронов и дырок происходит одновременно, парами, а потому концентрации электронов и дырок одинаковы. Введение же в полупроводник определенных примесей привести к увеличению концентрации носителей одного знака и сильно повысить проводимость. Это происходит при условии, что на внешней оболочке атомов примеси находится на один электрон больше (донорные примеси) или на один электрон меньше (акцепторные примеси), чем у атомов исходного полупроводника. В первом случае примесные атомы (доноры) легко отдают лишний электрон, а во втором (акцепторы)– забирают недостающий электрон от атомов полупроводника, создавая дырку. Для наиболее распространённых полупроводников (кремния и германия), являющихся четырёхвалентными химическими элементами, донорами служат пятивалентные вещества (фосфор, мышьяк, сурьма), а акцепторами – трехвалентные (бор, алюминий, индий). В зависимости от преобладающего типа носителей примесные полупроводники делят на полупроводники электронного (п-типа) и дырочного (р-типа). Зависимость электропроводимости полупроводника от различных внешних воздействий служит основой разнообразных технических приборов.
Масса ртути m, которая попала в 1 см³ помещения комнаты, пропорциональна отношению объемов:
m = Mр * (v / V) = 0,002 кг * (1*10⁻⁶ м³ / 30 м³) = (2/3)*10⁻¹⁰ кг
где Mр — вся масса ртути, v = 1 см ³ = 1*10´⁶ м³, V — объем помещения.
Число молекул в массе ртути m:
n = (m/M)*Na = ((2/3)*10⁻¹⁰ кг/ 0,201 кг/моль) * 6,022*1023 моль⁻¹ = 1,99*10¹⁴ молекул.
М — молярная масса, Na — число Авогадро.
Объяснение:
подставь вместо одного(1) два (2)