Напряжённость электри́ческого по́ля — векторная физическая величина, характеризующая электрическое поле в данной точке и равная отношению силы {\displaystyle {\vec {F}}}{\vec {F}}, действующей на неподвижный точечный заряд, помещённый в данную точку поля, к величине этого заряда {\displaystyle q}q[1]:
Напряжённость электрического поля
{\displaystyle {\vec {E}}}\vec E
Размерность
LMT−3I−1
Единицы измерения
СИ
В/м
Примечания
векторная величина
{\displaystyle {\vec {E}}={\frac {\vec {F}}{q}}.}{\displaystyle {\vec {E}}={\frac {\vec {F}}{q}}.}
Напряжённость электрического поля иногда называют силовой характеристикой электрического поля, так как всё отличие от вектора силы, действующей на заряженную частицу, состоит в постоянном[2] множителе.
В каждой точке в данный момент времени существует своё значение вектора {\displaystyle {\vec {E}}}\vec E (вообще говоря — разное[3] в разных точках пространства), таким образом, {\displaystyle {\vec {E}}}\vec E — это векторное поле. Формально это отражается в записи
{\displaystyle {\vec {E}}={\vec {E}}(x,y,z,t),}{\vec E}={\vec E}(x,y,z,t),
представляющей напряжённость электрического поля как функцию пространственных координат (и времени, так как {\displaystyle {\vec {E}}}\vec E может меняться со временем). Это поле вместе с полем вектора магнитной индукции представляет собой электромагнитное поле[4], и законы, которым оно подчиняется, есть предмет электродинамики.
Напряжённость электрического поля в Международной системе единиц (СИ) измеряется в вольтах на метр [В/м] или в ньютонах на кулон [Н/Кл].
Объяснение:
Дырочные полупроводники. Полупроводник, легированный акцепторной примесью, называют полупроводником дырочного типа (р-типа) проводимости или дырочным полупроводником.Дырочная проводимость создается в результате легирования полупроводника элементами, имеющими меньшую валентность, чем валентность атомов, из которых состоит полупроводник. Например, для Si и Ge, являющимися элементами четвертой группы таблицы Менделеева, в качестве акцепторных примесей применяют элементы третьей группы, как правило это 5B, 13Al, 31Ga, 49In.Замещая узлы кристаллической решетки полупроводника, атомы акцепторной примеси захватывают валентный электрон от соседнего атома кремния для создания ковалентных связей с атомами основного вещества, превращаясь при этом в отрицательно заряженные ионы, и участвуют в создании дополнительных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника, как показано на рис. 1.26.Механизм появления дырочной проводимости иллюстрируется на рис. 1.26, а. При образовании химической ковалентной связи с атомами Si или Ge все три валентных электрона атома акцепторной примеси участвуют в образовании ковалентных связей. Для создания четвертой (незавершенной) химической связи может быть захвачен электрон из ковалентных связей одного из ближайших соседних атомов кремния. У этого атома, в свою очередь, появляется незавершенная связь с соседним атомом кремния, которая называется дыркой.У дырки существует слабая электростатическая связь с атомом кремния. Энергия этой кулоновской связи DWa, как и в случае электронных полупроводников, невелика и составляет всего 0,01...0,07 эВ. Поэтому для захвата дыркой электрона из ковалентной связи соседнего атома достаточно небольшой энергии, которую электрон может получить за счет тепловых колебаний кристаллической решетки. В результате обмена электронами между соседними атомами дырка может перемещаться по кристаллу полупроводника, осуществляя при приложении внешнего электрического поля дырочную проводимость.
340/20=17 среднее17-15=2
17+2=19 м/с скорость конечная
19-15=4
4/20=0,2 м ускорение