вагонетка с грузом ,весящая 10кн, равномерно поднимается из шахты при тягового троса. определить натяжение тягового троса АВ и силу давления вагонетки на рельсы. Угол наклона 30 градусов
Тип носителя зарядов изменяется путем добавок атомов с мЕньшим или бОльшим числом валентных электронов (электронов во внешнем слое) по сравнению с атомами основного полупроводника. Например в кремний (4 валентных электрона) можно ввести мышьяк или фосфор (5 валентных электронов) Атомы примеси вступают в ковалентную связь с атомами кремния (другими словами, заменяют атом кремния в кристаллической решетке). Однако пятый электрон атома мышьяка или фосфора оказывается "лишним", и он становится свободным. В данном случае носителем заряда является отрицательно заряженный электрон. Получаем электронный полупроводник, или полупроводник n-типа (от negative - отрицательный). Если в кремний добавить трехвалентные бор, индий или галлий, то примесные атомы так же внедрятся в кристаллическую решетку и образуют связи с атомами кремния. Недостающий четвертый электрон эти примесные атомы захватят у соседних атомов кремния, вследствие чего образуется положительно заряженная "дырка". Она и будет носителем заряда. Получаем дырочный полупроводник или p-полупроводник (от positive - положительный)
Это возможно только в одном случае - если батареи замкнуть в последовательное кольцо. Тогда Суммарная ЭДС двух батарей 2E будет замкнута на сумму внутренних сопротивления r1=6Ом и неизвестную r2. Ток в цепи будет I=2E/(r1+r2). Напряжение на клеммах -+ батареи будет равно E/2 при U=E-I*r1=E/2, или I=E/2r1, а этот же ток во второй батарее, текущий против ее ЭДС, будет I=(E+E/2)/r2 = 3E/2r2. Приравняв E/2r1 и 3E/2r2, разделив левую и правую части на E/2, получим 1/r1=3/r2 или r1=r2/3, то есть одно из внутренних сопротивлений в 3 раза больше другого. Максимальное - 6*3=18Ом, минимальное - 6/3=2Ом. Что будет, если внутреннее сопротивление одного из источников станет равно нулю? А бесконечности? А равно сопротивлению первого источника? Можете построить график зависимости напряжения на клеммах источника в зависимости от внутреннего сопротивления второго источника?
Атомы примеси вступают в ковалентную связь с атомами кремния (другими словами, заменяют атом кремния в кристаллической решетке). Однако пятый электрон атома мышьяка или фосфора оказывается "лишним", и он становится свободным. В данном случае носителем заряда является отрицательно заряженный электрон. Получаем электронный полупроводник, или полупроводник n-типа (от negative - отрицательный). Если в кремний добавить трехвалентные бор, индий или галлий, то примесные атомы так же внедрятся в кристаллическую решетку и образуют связи с атомами кремния. Недостающий четвертый электрон эти примесные атомы захватят у соседних атомов кремния, вследствие чего образуется положительно заряженная "дырка". Она и будет носителем заряда. Получаем дырочный полупроводник или p-полупроводник (от positive - положительный)