1.Заряд на обкладках конденсатора меняется по закону q = 5 ∗ 10−3sin(20 t ) Вычислите: a) записать амплитуду колебаний заряда b) период и частоту колебаний. с) запишите уравнение зависимости силы тока в контуре от времени.
Фосфор - элемент главной подгруппы 5 группы, кремний - элемент 4 группы. поэтому фосфор с избыточным электроном (по сравнению с кремнием) явдяется донором и полупроводник становится n - типа. концентрация свободных носителей . в примесном полупроводнике концентрация примесных электронов намного больше собственной концентрации свободных носителей заряда. поэтому концентрация носителей заряда примерно равна концентрации молекул примеси n = ro/Mr*Na * 0,00001/100 = 2400/(0,028)*6e23*0,00001/100 м^(-3)= 5,14E+021 м^(-3)
При увеличении температуры полупроводника его собственная проводимость (т. е. та, которая есть независимо от примесей) возрастает, сопротивление, соответственно, падает. Это обусловлено тем, что с ростом температуры всё больше электронов имеет достаточно энергии чтобы оторваться от атомов. При этом образуется пара из свободного электрона и "дырки" - вакантного места под электрон у атома. Атом, у которого не хватает электрона, может отобрать электрон у соседа, таким образом "дыра" переместится. В результате "дырки" ведут себя подобно свободным частицам с положительным зарядом и участвуют в проводимости наравне с электронами.
1)5*
b)V=
=
T=
c)i(t)=q(t)=5*
*20cos20t=0,1cos20t
Объяснение: