Розташуйте величини площ обкладинок конденсатора у послідовності збільшення електроємності (1 найменша електроємність: 4 найбільша електроємність) А 49 см². Б 0,0051 м². В 500 мм² Г 0,52 дм². 1 2 3 4
Чтобы получить полупроводник с дырочкой проводимостью в чистый кремний можно добавить небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия) . Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.