Промышленный объект - всегда источник выбросов. Выбросы, независимо от вредности для экологической ситуации, представляют собой смесь веществ с разнообразной химической и электрохимической активностью, которые в совокупности являются крайне агрессивной средой для металлов, из которых изготовлены детали.
Даже если металл не взаимодействует с каким-либо из этих веществ (т.е. не подвергается химической коррозии), он может разрушаться в агрессивной окислительной среде, созданной промышленными выбросами - т.е. находиться в условиях электрохимической коррозии. Вдобавок в деталях всегда присутствует контакт различных металлов, что только ускоряет коррозию за счет образования гальвано пары.
Ну а если рассуждать с химической точки зрения - то вблизи промышленных объектов в воздухе, помимо углекислого газа, присутствуют другие кислотные оксиды (например, оксид серы (IV) SO₂, оксид азота (IV) NO₂), которые во влажном воздухе образуют кислоты. А в кислой среде металлические детали корродируют гораздо быстрее, чем в нейтральной.
Найменша комірка, яка зберігає усі елементи симетрії кристалу, називається елементарною коміркою.
Навіть у випадку кристалу із одним сортом атомів елементарна комірка містить кілька атомів. Наприклад, кристал заліза має кубічну об'ємноцентровану ґратку із 2 атомами в елементарній комірці. При високих температурах залізо переходить у фазу з ґранецентрованою кубічною ґраткою із 4 атомами в елементарній комірці.
Типи раток
Кристалічні системи
(Сингонія) 14 ґраток Браве
триклінна Triclinic
моноклінна примітивна базоцентрована
Monoclinic, simple Monoclinic, centered
ромбічна примітивна базоцентрована об'ємноцентрована гранецентрована
Orthorhombic, simple Orthorhombic, base-centered Orthorhombic, body-centered Orthorhombic, face-centered
гексагональна Hexagonal
тригональна Rhombohedral
тетрагональна примітивна об'ємноцентрована
Tetragonal, simple Tetragonal, body-centered
кубічна примітивна об'ємноцентрована гранецентрована
Cubic, simple Cubic, body-centered Cubic, face-centered
Основні параметри кристалічних ґраток[1]:
період або параметр ґратки дорівнює довжині ребра ґратки у напрямі головних осей кристалічної ґратки;
координаційне число (К) характеризує щільність пакування ґратки, визначає кількість найближчих і рівновіддалених атомів у певній кристалічній ґратці;
базис — це кількість атомів (іонів), що належать до однієї ґратки;
атомний радіус — це половина відстані між центрами найближчих атомів у кристалічній ґратці певної кристалічної системи;
коефіцієнт компактності — це відношення об'єму, що займають атоми (іони), до всього об'єму ґратки даного типу.
Дефекти кристалічної ґратки
Дефекти кристалічної ґратки. а — незаповнений вузол (вакансія); б — власний атом між вузлами; в — чужорідний атом між вузлами; г — чужорідний атом у вузлі; д — йон з аномальним зарядом.
Розташування структурних елементів у кристалічних ґратках мінералів рідко відповідає цій класичній картині, яка характеризується послідовним розташуванням у ґратці атомів або йонів (так звані ідеальні кристали). На противагу ідеальним кристалам, для яких характерне правильне розташування і періодичність атомів або йонів, реальні кристали відрізняються рядом відхилень — дефектів кристалічної ґратки (дислокацій). Згідно з загальноприйнятою класифікацією, розрізняють такі дефекти кристалічної ґратки (мал.):
пустий вузол, створений внаслідок випадання з ідеальної ґратки атома або йона;
власний атом або йон ґратки, розташований між її вузлами;
чужорідний атом або йон, розташований між вузлами ґратки;
чужорідний атом, який заміщає власний атом ґратки;
йон у ґратці в нормальному стані, але з аномальним зарядом.
Объяснение:
2cosx=1 cosx=1/2 x=±arccos(1/2)+2πk x=±π/3 +2πk, где k- целое число
Объяснение: