Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.
Подложка в фотоматериалах и киноматериалах — основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв.
Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоев с процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д.
При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.
Петр=x
Владимир=y
Михаил=z
Время которое надо найти w
Дано:
1)x+y=22/40=11/20(ящика в минуту)
2)z+x=30/50=3/5(ящика в минуту)
3)z+y=41/60(ящика в минуту)
4)x+y+z=22/w(ящика в минуту)
Выводим x
1)y=11/20-x
2)z=3/5-x
3)подставляем к 3
11/20-x+3/5-x=41/60
-2x=(41-69)/60(вывел в одинаковый знаменатель)
-2x=-28/60
x=14/60
4)x+11/20-x+3/5-x=22/w
33/60+36/60-14/60=22/w
55/60=22/w
w=22/1*60/55=120/5
w=24
ответ за 24 минуты.
И 110/60 никак не получается потому что это приблезительно 2 ч
а это гораздо больше чем каждый из них вдвоем