вероятность попадания в цель при стрельбе из первого орудия равна 0,6 а при стрельбе из второго орудия равна 0,4 найдём вероятность хотя бы одного попадания в цель если каждое орудие сделало по одному выстрелу
Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.
Подложка в фотоматериалах и киноматериалах — основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв.
Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоев с процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д.
При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.
Прямоугольник из 7 квадратов можно сделать только одним если все семь квадратов в ряд разместить. То есть короткая сторона прямоугольника равна стороне квадрата, а длинная сторона прямоугольника равна семи сторонам квадрата. Теперь найдем сторону одного квадрата. Сумма периметров 112 см, квадратов семь. То есть периметр одного квадрата 112:7=16 смПериметр это сумма всех сторон, у квадрата они одинаковые, то есть сторона квадрата это 16:4=4смОдна сторона прямоугольника равна стороне квадрата, то есть 4 смВторая сторона прямоугольника это 7*4=28смПлощадь прямоугольника 28*4=112 см
Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.
Подложка в фотоматериалах и киноматериалах — основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв.
Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоев с процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д.
При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.