Пусть H1- высота сосуда, S1 - площадь первого сосуда, V1 - объем;
H2- Высота второго сосуда, S2- площадь второго сосуда, V2 - объем;
Объяснение:
1. Масса жидкости в первом сосуде m1=V1*ro=H1*S1*ro
ro- плотность воды = 1000 кг/м^3.
Масса жидкости во втором сосуде m2=V2*ro=H2*S2*ro
Вес жидкости в первом сосуде P1=m1*g=H1*S1*ro*g
Вес жидкости во втором сосуде P2=m2*g=H2*S2*ro*g
2. Давление на дно сосуда
давление - вес / на площадь, тогда
Давление в первом сосуде p1=P1/S1 = (H1*S1*ro*g)/S1 = H1*ro*g
Давление во втором сосуде p2=P2/S2=(H2*S2*ro*g)/S2=H2*ro*g
Тогда, p1=0.31 (метра)*9.8*1000=3038 Па = 3,038 кПа
p2=0.09 * 9.8*1000=882 Па = 0.882 кПа
Давление на дно в первом сосуде больше на 2.156 кПа
Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.
Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.