С повышением температуры проводимость полупроводника резко возрастает, т. к. увеличивается концентрация носителей тока. Температурная зависимость электропроводимости полупроводников дается соотношением: σ=σ0exp(-∆Е/2КТ), где К-пост Больцмана, ∆Е-ширина запрещенной зоны, Т-абсолютная ширина, σ0-проводимость при н.у.(р0=105Па, Т0=217,16 К)
У=2х^2-11x+7lnx+9 одз: х> 0найдем производную функции: критические точки: х=0 стационарные точки: х=1; x=7/4. на числовой прямой отметим критические и стационарные точки и расставим знаки. 0 + 1 - 7/4 + > наибольшее значение функция принимает в точке 1,т.к. знак меняется с + на - тогда y(1)=2-11+0+9=0 ответ: 0
С повышением температуры проводимость полупроводника резко возрастает, т. к. увеличивается концентрация носителей тока. Температурная зависимость электропроводимости полупроводников дается соотношением: σ=σ0exp(-∆Е/2КТ), где К-пост Больцмана, ∆Е-ширина запрещенной зоны, Т-абсолютная ширина, σ0-проводимость при н.у.(р0=105Па, Т0=217,16 К)