Question

1.Инжекция носителей заряда обусловлена: а) диффузионным движением основных носителей,
б) дрейфовым движением основных носителей,
в) движением основных носителей при прямом смещении, т.е. при понижении высоты
потенциального барьера p-n перехода,
г) введением неосновных носителей через p-n переход при понижении высоты
потенциального барьера в области, прилегающей к нему.
2 Коллектором биполярного транзистора называется:
а) область транзистора со средней концентрацией примеси.
б) область транзистора, назначением которой является инжекция в базу неосновных
носителей.
в) область транзистора со стороны закрытого перехода.
г) область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных
носителей.
3 Концентрация примесей в базе намного меньше концентрации примесей в
эмиттере:
а) чтобы увеличить эффективность эмиттера,
б) чтобы увеличить сопротивление базы,
в) чтобы увеличить постоянную времени эмиттерной и коллекторной емкостей,
г) чтобы уменьшить вероятность рекомбинации основных носителей в базе.
4 В схеме усилителя для термостабилизации режима работы транзистора
используется:
а) делитель напряжения,
б) выходная цепь каскада,
в) цепь отрицательной обратной связи.
5 Сопротивление конденсатора при прохождении переменного тока:
а) большое,
б) малое,
в) постоянное для переменного и постоянного тока,
6 Развязывающие конденсаторы в схеме усилителя в режиме переменного тока
предназначены для:
а) увеличения выходного сигнала,
б) увеличения коэффициента усиления по переменному току,
в) уменьшения выходного сигнала.